[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201310700716.8 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN103903974B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 松崎荣;川合章仁;荒井一尚 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明是晶片的加工方法,能不使器件品质降低地将树脂膜装配到各器件的背面。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件的背面,包括保护部件粘贴工序,将保护部件粘贴到晶片正面;背面磨削工序,对晶片背面进行磨削而形成为规定的厚度;树脂膜装配工序,将树脂膜装配到晶片背面;抗蚀剂膜覆盖工序,在树脂膜表面的规定的区域覆盖抗蚀剂膜;蚀刻工序,从晶片背面侧进行等离子蚀刻,沿间隔道对树脂膜进行蚀刻并对晶片进行蚀刻,沿着间隔道将树脂膜和晶片按一个个器件进行分割;抗蚀剂膜除去工序,除去覆盖在树脂膜表面的抗蚀剂膜;以及晶片支撑工序,将切割带粘贴到树脂膜侧,且通过环状框架支撑切割带外周部并剥离保护部件。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,用于将在正面在通过呈格子状地形成的多个间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件,并且将树脂膜装配到各器件的背面,上述晶片的加工方法的特征在于,包括:保护部件粘贴工序,将保护部件粘贴到晶片的正面;背面磨削工序,对实施了上述保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度;树脂膜装配工序,将树脂膜装配到实施了上述背面磨削工序的晶片的背面;抗蚀剂膜覆盖工序,在实施了上述树脂膜装配工序的晶片的背面所装配的树脂膜的表面的、除与间隔道对应的区域以外的区域,覆盖抗蚀剂膜;蚀刻工序,通过从实施了上述抗蚀剂膜覆盖工序的晶片的背面侧进行等离子蚀刻,来沿着间隔道对树脂膜进行蚀刻并且对晶片进行蚀刻,从而沿着间隔道将树脂膜和晶片按一个个器件进行分割;抗蚀剂膜除去工序,使用可除去抗蚀剂膜的脱膜剂,将覆盖于在实施了上述蚀刻工序的晶片的背面装配的树脂膜的表面上的抗蚀剂膜除去;以及晶片支撑工序,在装配于被分割成了一个个器件的晶片的背面上的树脂膜侧粘贴切割带,并且通过环状框架来支撑切割带的外周部,剥离粘贴在晶片的正面的保护部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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