[发明专利]铜互连电镀填充方法有效
| 申请号： | 201310697825.9 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103700619A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李明;张俊红;孙琪;曹海勇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H05K3/42;C25D5/08 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 牛山;陈少凌 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铜互连电镀填充方法，包括以下步骤：将用于孔填充的镀铜液作为电解液，放入三电极体系中，测量其电化学曲线；根据电化学曲线确定电流峰和电流谷分别对应的电压值；将具有孔结构的样品作为工作电极放入三电极体系中，使孔表面的电压对应于电化学曲线上电流谷对应的电压，通电后取出；测量孔截面各处填充铜的厚度，其最厚处对应于电化学曲线上电流峰的位置；调整镀铜液的浓度，改变其电化学曲线上电流峰和电流谷的位置，使在电镀铜过程中孔表面的电压对应于电化学曲线上电流谷对应的电压，孔底的电压对应于电化学曲线上电流峰对应的电压，即可。本发明能够实现镀铜无缺陷的完美填充，而且操作简便，可广泛用于各种高端电子制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 电镀 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连电镀填充方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（1）将用于孔填充的镀铜液作为电解液，放入三电极体系中，测量其电化学曲线；步骤（2）根据电化学曲线确定电流峰和电流谷分别对应的电压值；步骤（3）将具有孔结构的样品作为工作电极放入三电极体系中，其电解液与步骤（1）中的电解液相同，然后施加电压，使孔表面的电压对应于电化学曲线上电流谷对应的电压，通电后，将样品取出；步骤（4）测量孔截面各处填充铜的厚度，其最厚处对应于电化学曲线上电流峰的位置；步骤（5）调整镀铜液的浓度，改变其电化学曲线上电流峰和电流谷的位置，使在电镀铜过程中孔表面的电压对应于电化学曲线上电流谷对应的电压，孔底的电压对应于电化学曲线上电流峰对应的电压，便可产生“bottom‑up”填充形式，实现无缺陷的孔填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310697825.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
