[发明专利]一种可见光器件圆片级封装结构和方法无效
申请号: | 201310697584.8 | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN103681719A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王双福;罗乐;徐高卫;叶交托;韩梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法,所述方法至少包括步骤:提供透明封装基板,在所述透明封装基板表面键合硅晶圆,所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体;在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构;采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上;在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点;最后进行划片形成独立的封装器件。本发明的封装方法采用两次倒装焊的技术,实现可见光器件芯片到晶圆的圆片级封装,避免了不同的可见光器件由于衬底材料、制造工艺、使用限制等因素带来的技术困难。 | ||
搜索关键词: | 一种 可见光 器件 圆片级 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种可见光器件圆片级封装方法,其特征在于,所述可见光器件圆片级封装方法至少包括步骤:1)提供透明封装基板,在所述透明封装基板上键合硅晶圆,所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体;2)在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构;3)采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上;4)在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点;5)最后进行划片形成独立的封装器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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