[发明专利]一种等离子体处理腔室及其冷却装置在审
申请号: | 201310687365.1 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN104715992A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 吴狄;何乃明;曹雪操 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/02 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其冷却装置,其中,所述冷却装置包括:中空框状的出风组件,其主体上设置有多个出风口/出风带,固定于所述等离子体处理腔室的顶板上;动力装置,其连接于出风组件,用于驱动所述出风组件产生风力。本发明提供的冷却装置体积小,易于清洗,并且能够对应于腔室或基片的不同领域进行温度控制。本发明还尤其适用于电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘顶板的降温。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 处理 及其 冷却 装置 | ||
【主权项】:
一种用于等离子体处理腔室的冷却装置,其中,所述冷却装置包括:中空框状的出风组件,其主体上设置有多个出风口/出风带,固定于所述等离子体处理腔室的顶板上;动力装置,其连接于出风组件,用于驱动所述出风组件产生风力。
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