[发明专利]一种背接触晶硅电池及其非受光面处理方法和其制备方法

摘要

发明提供一种背接触晶硅电池及其非受光面处理方法和其制备方法，包括硅基板，所述硅基板具有受光面和非受光面，在非受光面上设有P型区汇流导电带和N型区汇流导电带，并成P-N-P-N型排列结构，P型区汇流导电带与正极金属电极连接，N型区汇流导电带与负极金属电极连接，覆盖P型区汇流导电带和N型区设置在非受光面上的2-8层布拉格反射层，所述布拉格反射层沿所述晶硅电池的厚度方向设置，且每层所述布拉格反射层包括由第一材质形成的第一布拉格反射膜和由第二材质形成的第二布拉格反射膜，所述第一布拉格反射膜和所述第二布拉格反射膜沿着晶硅电池的厚度方向交错叠加；第二材质的折射率n2大于第一材质的折射率n1。

主权项

一种背接触晶硅电池，包括硅基板（100），所述硅基板（100）具有受光面和非受光面，在所述非受光面上设有P型区汇流导电带（108）和N型区汇流导电带（112），并成P‑N‑P‑N型排列结构，所述P型区汇流导电带（108）与正极金属电极（110）连接，所述N型区汇流导电带（112）与负极金属电极连接，其特征在于：还包括覆盖所述P型区汇流导电带（108）和所述N型区汇流导电带（112）设置在所述非受光面上的2‑8层布拉格反射层（200），每层所述布拉格反射层（200）包括一层由第一材质形成的第一布拉格反射膜和一层由第二材质形成的第二布拉格反射膜,所述布拉格反射层（200）沿所述晶硅电池的厚度方向设置，且所述第一布拉格反射膜和所述第二布拉格反射膜沿着晶硅电池的厚度方向交错叠加；所述第二材质的折射率n2大于所述第一材质的折射率n1。