[发明专利]用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置无效
申请号: | 201310684514.9 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103700601A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 路新春;李弘恺;赵乾;余强;田芳馨;曲子濂;孟永钢 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置,其中标定方法包括以下步骤:选定晶圆铜膜上的标定点分布,并根据标定点分布确定每片晶圆铜膜上的K个标定点坐标;在m片晶圆铜膜上,依次采集传感器探头在K个标定点的电压值和零点位置的输出电压值,并分别计算K个标定点和零点位置的电压差,以消除传感器的零点漂移;以及根据m片晶圆铜膜上的K个标定点和零点位置的电压差以及m片晶圆铜膜上的K个标定点的真实厚度值得到表示每个标定点上的电压差与厚度值对应关系的标定曲线。本发明采用多点标定的方法,消除了晶圆在测量过程中由提离高度的波动所造成的测量误差,提高了测量精度,满足了工艺人员的使用需要。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 表面 厚度 标定 方法 测量方法 装置 | ||
【主权项】:
一种用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法,其特征在于,包括以下步骤:选定晶圆铜膜上的标定点分布,并根据所述标定点分布确定所述晶圆铜膜上的K个标定点坐标;在m片晶圆上,依次采集传感器探头在每片晶圆铜膜上所述K个标定点的输出电压值和零点位置的输出电压值,并分别计算所述K个标定点和所述零点位置的电压差;以及根据所述m片晶圆铜膜上K个标定点和所述零点位置的电压差以及所述m片晶圆铜膜上K个标定点的真实厚度值分别分段线性化拟合,得到每个标定点上表示电压差与厚度值对应关系的标定曲线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造