[发明专利]用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置无效

专利信息
申请号: 201310684514.9 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103700601A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 路新春;李弘恺;赵乾;余强;田芳馨;曲子濂;孟永钢 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置,其中标定方法包括以下步骤:选定晶圆铜膜上的标定点分布,并根据标定点分布确定每片晶圆铜膜上的K个标定点坐标;在m片晶圆铜膜上,依次采集传感器探头在K个标定点的电压值和零点位置的输出电压值,并分别计算K个标定点和零点位置的电压差,以消除传感器的零点漂移;以及根据m片晶圆铜膜上的K个标定点和零点位置的电压差以及m片晶圆铜膜上的K个标定点的真实厚度值得到表示每个标定点上的电压差与厚度值对应关系的标定曲线。本发明采用多点标定的方法,消除了晶圆在测量过程中由提离高度的波动所造成的测量误差,提高了测量精度,满足了工艺人员的使用需要。
搜索关键词: 用于 测量 表面 厚度 标定 方法 测量方法 装置
【主权项】:
一种用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法,其特征在于,包括以下步骤:选定晶圆铜膜上的标定点分布,并根据所述标定点分布确定所述晶圆铜膜上的K个标定点坐标;在m片晶圆上,依次采集传感器探头在每片晶圆铜膜上所述K个标定点的输出电压值和零点位置的输出电压值,并分别计算所述K个标定点和所述零点位置的电压差;以及根据所述m片晶圆铜膜上K个标定点和所述零点位置的电压差以及所述m片晶圆铜膜上K个标定点的真实厚度值分别分段线性化拟合,得到每个标定点上表示电压差与厚度值对应关系的标定曲线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310684514.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top