[发明专利]一种用紫外脉冲激光辐照制备SiC欧姆接触的方法无效
| 申请号： | 201310683365.4 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103700580A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 卢吴越;张永平;程越;谈嘉慧;赵高杰;刘益宏;孙玉俊;陈之战;石旺舟 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种用紫外脉冲激光辐照制备SiC欧姆接触的方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明包括步骤：清洁SiC衬底表面；在SiC表面制备接触层；以紫外脉冲激光聚焦后，在高真空或惰性气体保护氛围中对上述材料正面进行辐照，得到欧姆接触。本发明以紫外脉冲激光辐照代替传统热退火，能得到性能良好的SiC欧姆接触。相比传统热退火，该方法处理时间短、反应温度高，并能精确控制处理区域范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 脉冲 激光 辐照 制备 sic 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种用紫外脉冲激光辐照制备SiC欧姆接触的方法，包括清洁SiC衬底表面，在SiC表面制备接触层，其特征是，以紫外脉冲激光聚焦后，在高真空或惰性气体保护氛围中对上述材料正面进行辐照，得到欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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