[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310681667.8 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104716258A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，在所述介电层中形成有凹槽；在所述凹槽内和所述介电层上形成相变材料层，所述相变材料层填满所述凹槽；在所述相变材料层上形成保护层；以及执行化学机械抛光工艺，去除所述保护层和所述凹槽以外的相变材料层。根据本发明的制作半导体器件的方法，在相变材料层的上面形成保护层。该保护层在化学机械抛光过程中覆盖相变材料层，可以保护相变材料层，避免在抛光过程中将相变材料层完全拔出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，在所述介电层中形成有凹槽；在所述凹槽内和所述介电层上形成相变材料层，所述相变材料层填满所述凹槽；在所述相变材料层上形成保护层；以及执行化学机械抛光工艺，去除所述保护层和所述凹槽以外的相变材料层。
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