[发明专利]具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310678033.7 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103872099A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | G.施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;马永利 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法。半导体本体具有第一侧面、第二侧面、横向边缘、有效区域、有效区域和横向边缘之间的边缘终端、以及第一导电类型的漂移区。边缘终端包括在第一侧面和横向边缘之间的在半导体本体中形成的阶梯。阶梯包括延伸直到第一侧面的横向表面和延伸直到横向边缘的底面。第二导电类型的第一掺杂区带沿着阶梯的横向表面被形成在半导体本体中，并形成具有漂移区的pn结。第一导电类型的第二掺杂区带至少沿着阶梯的底面的一部分被形成在半导体本体中，并延伸直到横向边缘，其中第二掺杂区带与漂移区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 边缘 终端 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括第一侧面、第二侧面、在横向方向上对所述半导体本体进行划界的横向边缘、有效区域以及置于所述有效区域和所述横向边缘之间的边缘终端；形成在所述半导体本体中的第一导电类型的漂移区；所述边缘终端包括：阶梯，其在所述半导体本体的第一侧面和所述横向边缘之间被形成在所述半导体本体中，所述阶梯包括延伸直到所述半导体本体的第一侧面的横向表面和延伸直到所述半导体本体的横向边缘的底面；第二导电类型的第一掺杂区带，其沿着所述阶梯的横向表面被形成在所述半导体本体中，并形成具有所述漂移区的pn结；以及第一导电类型的第二掺杂区带，其至少沿着所述阶梯的底面的一部分被形成在所述半导体本体中，并延伸直到所述半导体本体的横向边缘，所述第二掺杂区带与所述漂移区接触。
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