[发明专利]一种降低Low VF高压整流二极管能耗的方法无效
| 申请号： | 201310675463.3 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103700588A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 何永成;赵帅帅 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低Low VF高压整流二极管能耗的方法，包括两方面，第一，提高抗高温能力，第二，降低压降设计；所述的提高抗高温能力包括以下步骤：首先LPCAD一层SIPOS膜，然后再采用二氧化硅钝化；所述的降低正向压降设计包括以下步骤：1）采用filmtronics特殊的纸源，在高温下长时间扩散，扩散后测量结的平整度在3um之内，保证了整个耐压区宽度的同时，将耐压区的宽度做到最小；2）采用表面蒸发金属电极降低欧姆接触电阻；3）提高晶片表面掺杂浓度。本发明不仅克服现有的大功率整流器可靠性低，功率损耗大等缺点，还大幅度地降低生产了成本，增强企业在分立器件行业的竞争力，能获得了更大的生存空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 low vf 高压 整流二极管 能耗 方法 | ||
【主权项】：
一种降低Low VF高压整流二极管能耗的方法，其特征在于，包括两方面，第一，提高抗高温能力，第二，降低压降设计；所述的提高抗高温能力包括以下步骤：首先LPCVD一层SIPOS膜，然后再采用二氧化硅钝化；所述的降低正向压降设计包括以下步骤：1）采用filmtronics特殊的纸源，在高温下长时间扩散，扩散后测量结的平整度在3um之内，保证了整个耐压区宽度的同时，将耐压区的宽度做到最小；2）采用表面蒸发金属电极降低欧姆接触电阻；3）提高晶片表面掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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