[发明专利]一种硅片废切割液的提纯方法有效
申请号: | 201310665244.7 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN103617951A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 杨涛;米伟勋;杨振东 | 申请(专利权)人: | 天津惠利科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 301500 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片废切割液的提纯方法,包括以下步骤:根据硅片废切割液中切割液含量的不同,加入水温度为30—50℃的蒸汽冷凝水,配制切割液的质量百分比为35%—45%的总处理液;然后加入助剂,搅拌均匀后,通过气动隔膜泵打入固液分离装置进行固液分离,通过固液分离装置获得的滤饼以及残渣用蒸汽冷凝水清洗,并且用压缩空气吹干,如此反复几次;对固液分离得到的液体通过蒸馏装置蒸发掉所含的大部分水分,蒸发温度控制在80—130℃,蒸发时间为100—120min,得到主要成分为聚乙二醇的回收切割液。本发明提高了回收切割液的回收率和回收效率,进而减少了资源的浪费;改善了回收切割液的性能,更有利于硅片的切割加工。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 切割 提纯 方法 | ||
【主权项】:
一种硅片废切割液的提纯方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)根据硅片废切割液中切割液含量的不同,加入水温度为30—50℃的蒸汽冷凝水,配制切割液的质量百分比为35%—45%的总处理液;(2)然后加入助剂,搅拌均匀后,通过气动隔膜泵打入固液分离装置进行固液分离,通过固液分离装置获得的滤饼以及残渣用蒸汽冷凝水清洗,并且用压缩空气吹干,如此反复几次;(3)对固液分离得到的液体通过蒸馏装置蒸发掉所含的大部分水分,蒸发温度控制在80—130℃,蒸发时间为100—120min,得到主要成分为聚乙二醇的回收切割液;所述助剂包括下述物质中的一种或多种混合物:非离子表面活性剂:壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、月桂醇、鲸蜡醇、失水山梨醇脂、蔗糖酯中的一种或多种混合物,占总处理液的0.01%‑0.02%;PH调节剂:二乙醇胺、三乙醇胺中的一种或两种混合物,占总处理液的0.0001%‑0.003%;螯合剂:乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸中的一种或多种混合物,占总处理液的0.0001%‑0.003%;吸附剂:活性炭、硅藻土中的一种或两种混合物,占总处理液的0.4%‑0.6%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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