[发明专利]一种生长石墨烯的衬底的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310655326.3 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681310A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王炜;王冠;邱玉锐;杨军;李慧峰 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 陆菊华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长石墨烯的衬底的刻蚀方法，包括如下步骤：1）将生长好石墨烯的衬底待刻蚀的部分浸在刻蚀液中，开始刻蚀；2）当衬底刻蚀一部分后，将石墨烯衬底刻蚀部分取出，用特定液体冲洗刚才被刻蚀的部分的表面，冲洗后的液体及时流出石墨烯衬底表面，此冲洗过程将带出表面杂质，污染物或多余的石墨烯；3）将冲洗过的石墨烯衬底继续刻蚀，待衬底刻蚀了一部分后，取出，重复从第二步的冲洗过程；4）重复步骤3）一次或多次，直至衬底完全刻蚀净。本发明是在刻蚀的过程中加入特殊的清洗方式，将这些容易沾染所需石墨烯层的物质冲洗掉，这样转移后的石墨烯薄膜可以尽可能避免受到沾污，保持较好的性能以备使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 石墨 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种生长石墨烯的衬底的刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：1）将生长好石墨烯的衬底待刻蚀的部分浸在刻蚀液中，开始刻蚀；2）当衬底刻蚀一部分后，将石墨烯衬底刻蚀部分取出，用冲洗液冲洗刚才被刻蚀的部分的表面，冲洗后的液体及时流出石墨烯衬底表面，此冲洗过程将带出表面杂质，污染物或多余的石墨烯；3）将冲洗过的石墨烯衬底继续刻蚀，待衬底刻蚀了一部分后，取出，重复从第二步的冲洗过程；4）重复步骤3）一次或多次，直至衬底完全刻蚀净。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡格菲电子薄膜科技有限公司，未经无锡格菲电子薄膜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310655326.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：埋层的形成方法
- 下一篇：改善沟槽侧壁扇贝形貌的干法刻蚀工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
