[发明专利]一种利用掺杂晶型诱导剂制备室温稳定四方相ZrO2纳米粉体的方法无效
| 申请号： | 201310654359.6 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103708547A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林元华;李静;沈洋;南策文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01G25/02 | 分类号： | C01G25/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明利用均匀沉淀法通过掺杂晶型诱导剂-TZ-3Y-E(Tosoh)制备室温稳定四方相ZrO2纳米粉体。该方法具体步骤如下：（1）称取锆源、沉淀剂、晶型诱导剂、表面改性剂，依次溶解在去离子水中，形成混合溶液；（2）将混合溶液在水浴加热条件下进行搅拌；（3）将搅拌后的溶液离心、洗涤，将沉淀物干燥后得前驱体粉体；（4）将前驱体粉体在600℃～900℃煅烧2h，得到四方相ZrO2纳米粉体。本发明通过掺杂晶型诱导剂，采用新的方法制备了室温稳定四方相ZrO2纳米粉体，降低了其生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 掺杂 诱导剂 制备 室温 稳定 四方 zro sub 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种利用掺杂晶型诱导剂制备室温稳定四方相ZrO2纳米粉体的方法，其特征在于，具体制备过程包括如下步骤：（1）将锆源、沉淀剂、晶型诱导剂、表面改性剂依次溶解在去离子水中，形成混合溶液；（2）将混合溶液在水浴加热条件下进行搅拌，混合均匀；（3）将搅拌后的溶液离心、洗涤，将沉淀物干燥后得前驱体粉体；（4）将前驱体粉体在600℃～900℃煅烧2h，得到四方相ZrO2纳米粉体。
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