[发明专利]BCD工艺中纵向双极型晶体管在审
| 申请号： | 201310652819.1 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104681602A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 金锋;邓彤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCD工艺中纵向双极型晶体管，发射区由形成轻掺杂注入区和重掺杂注入区叠加而成，轻掺杂注入区覆盖一个有源区，重掺杂注入区的仅覆盖在有源区的中心区域，在重掺杂注入区的最外侧边缘和轻掺杂注入区的最外侧边缘之间的区域形成由轻掺杂注入区组成的高阻环，高阻环定义出发射区的寄生电阻的大小并在纵向双极型晶体管的工作电流增加时形成负反馈效应，从而能抑制器件在大电流工作时由于正温度效应而产生的正反馈效应，从而能提升器件ICVC曲线的安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 纵向 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中纵向双极型晶体管，其特征在于：纵向双极型晶体管形成硅衬底上，在所述硅衬底上形成有场氧，由所述场氧隔离出有源区；所述纵向双极型晶体管包括：集电区，由形成于所述硅衬底上的第一导电类型深阱组成；基区，由形成于所述第一导电类型深阱中的第二导电类型阱组成；发射区，由形成于所述基区表面的第一导电类型轻掺杂注入区和第一导电类型重掺杂注入区叠加而成，所述发射区的第一导电类型重掺杂注入区的掺杂浓度大于第一导电类型轻掺杂注入区的掺杂浓度；所述发射区的第一导电类型轻掺杂注入区覆盖一个所述有源区，令该有源区为第一有源区，所述发射区的第一导电类型重掺杂注入区的覆盖在所述第一有源区的中心区域，在所述发射区的第一导电类型重掺杂注入区的最外侧边缘和所述发射区的第一导电类型轻掺杂注入区的最外侧边缘之间的区域形成由第一导电类型轻掺杂注入区组成的高阻环，在所述发射区的表面形成有金属硅化物；所述高阻环定义出所述发射区的寄生电阻的大小并在所述纵向双极型晶体管的工作电流增加时形成负反馈效应，并利用该负反馈效应抑制所述纵向双极型晶体管的由正温度效应而产生的正反馈效应。
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