[发明专利]磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器在审
申请号: | 201310644182.1 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103855297A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | D.阿帕尔科夫;V.尼基丁;M.T.克朗比 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/12;G11C11/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度(Jc0)的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。 | ||
搜索关键词: | 磁性 及其 提供 方法 以及 包含 磁存储器 | ||
【主权项】:
一种用于磁性器件的磁性结,包括:被钉扎层;非磁性间隔层;和自由层,具有临界切换电流密度的梯度使得所述自由层的第一部分的第一临界切换电流密度比所述自由层的第二部分的第二临界切换电流密度小,该第二部分比所述第一部分更远离所述非磁性间隔层;其中所述磁性结配置为使得当写电流经过所述磁性结时所述自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。
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