[发明专利]一种浅沟槽隔离氧化层的制备方法及其装置

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离氧化层的制备方法，其中制备方法为在反应腔内提供一具有基体硅的半导体衬底，将一定比例的氢气和氧气通入腔内，产生自由基，自由基与基体硅反应生成二氧化硅；通入炉管的氢气分成多股，分别通入气管供气口通入炉管的顶部、中部、底部，通入炉管内氢气的流量大小比较为底部﹥中部﹥顶部。本发明还公开了一种采用上述方法制备浅沟槽隔离氧化层的低压炉管装置。本发明所述的方法和装置具有工艺时间短、工艺费用低、工艺环境友好等特点，即可以克服不同晶向的氧化速率差异的问题，又能有效改善刻蚀浅沟槽隔离氧化层中的硅损伤，不需进行后继的热处理工艺即可得到高品质的浅沟槽隔离氧化层。

主权项

一种浅沟槽隔离氧化层的制备方法，其特征在于，步骤包括：提供一具有浅沟槽隔离凹槽的半导体衬底；将所述半导体衬底放置于一反应腔室中；于该反应腔室中通入催化气体和氧化气体，生成自由基，该自由基与所述半导体衬底的表面反应，以于所述浅沟槽隔离凹槽的底部及其侧壁生成隔离氧化层。所述的催化气体为分成至少三股且入口高度各不相同的气体通入反应腔中。