[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法

摘要

本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。

主权项

1.一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01，在硅衬底内形成N+埋层区，并于所述N+埋层区上形成N‑集电区；步骤S02，通过选择性离子注入N型杂质，于所述N‑集电区内形成SIC区和集电极引出区，其中所述SIC区和集电极引出区与所述N+埋层区相接触；步骤S03，于所述N‑集电区上淀积第一多晶硅层，去除所述SIC区上的所述第一多晶硅层以露出所述SIC区，以及于所述第一多晶硅层和SIC区上形成一层SiGe层，并对位于所述SIC区上的SiGe层原位掺杂P型杂质；步骤S04，光刻以形成发射极窗口和集电极引出窗口，依次刻蚀所述集电极引出窗口下所述SiGe层和第一多晶硅层，以露出所述集电极引出区，形成位于所述SIC区上的SiGe单晶基区和位于所述N‑集电区上的多晶外基区，以及于所述发射极窗口和集电极引出窗口下淀积第二多晶硅层；步骤S05，对所述第二多晶硅层离子注入N型杂质，并选择一定波长的激光对所述第二多晶硅层进行激光退火，其中，所述所选波长激光的能量只传达到所述第二多晶硅层的下表面，而对所述SiGe单晶基区没有热开销；步骤S06，选择性刻蚀或腐蚀开出欧姆接触窗口，淀积复合金属，最终得到锗硅异质结双极晶体管。