[发明专利]多晶硅反应炉有效

专利信息
申请号: 201310631805.1 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103663457A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 邱裕明;肖天金 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;H01L21/67
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种多晶硅反应炉,在该反应炉内壁的垂直方向设置有多个进气口,本发明通过改变反应炉进气口的口径大小或者改变气体流速,进而改善图形密集区和图形疏松区的厚度差异,提升了生产工艺;同时发明不需要大幅度调整更换现有的反应炉设备,也无需变动工艺制程,实现成本较低,适合在各领域广泛推广。
搜索关键词: 多晶 反应炉
【主权项】:
一种多晶硅反应炉,所述反应炉内自下而上放置有硅片,其特征在于,所述反应炉内壁在垂直方向上设置有多个进气口,且所述进气口的气体流速相同;其中,自下而上的进气口的口径逐渐递增。
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