[发明专利]多晶硅反应炉有效
| 申请号： | 201310631805.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103663457A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 反应炉 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅反应炉，所述反应炉内自下而上放置有硅片，其特征在于，所述反应炉内壁在垂直方向上设置有多个进气口，且所述进气口的气体流速相同；其中，自下而上的进气口的口径逐渐递增。
2.如权利要求1所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述反应炉为立式反应炉管，且该反应炉应用于栅多晶硅的制备工艺中。
3.如权利要求1所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述反应炉在垂直方向上设置有3个进气口。
4.如权利要求3所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述的3个进气口上中下口径的比例为9：3.5：2.5。
5.如权利要求1所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述反应炉顶部设置有出气口。
6.一种多晶硅反应炉，所述反应炉内自下而上放置有硅片，其特征在于，所述反应炉内壁在垂直方向上设置有多个进气口，每个进气口的口径相等；其中，自下而上的进气口的气体流速逐渐递增。
7.如权利要求6所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述反应炉为立式反应炉管，且该反应炉应用于栅多晶硅的制备工艺中。
8.如权利要求6所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述反应炉在垂直方向上设置有3个进气口。
9.如权利要求8所述的多晶硅反应炉，其特征在于，流经所述的3个进气口气的体流速比例为9：3.5：2.5。
10.如权利要求6所述的多晶硅反应炉，其特征在于，所述反应炉顶部设置有出气口。
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