[发明专利]压电悬臂梁传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201310630291.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103594617A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 杨冰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/332 | 分类号： | H01L41/332;H01L41/113 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电悬臂梁传感器的制造方法，包括提供一SOI衬底，其包括衬底硅层，埋氧化层以及顶层硅层；所述SOI衬底具有与悬臂梁结构相对应的悬臂梁区域；在所述悬臂梁区域上依次形成下电极、压电薄膜和上电极；沿所述悬臂梁区域边缘依次刻蚀所述顶层硅层、所述埋氧化层和所述衬底硅层，形成底部延伸至所述衬底硅层的沟槽；在上述结构上沉积隔离层；去除所述沟槽底部的隔离层并露出所述衬底硅层，以形成悬臂梁结构的释放窗口；以及通过所述释放窗口进行释放工艺，刻蚀所述悬臂梁区域下方的所述衬底硅层，以形成所述悬臂梁结构。本发明简化了悬臂梁结构的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 悬臂梁 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压电悬臂梁传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一SOI衬底，其包括衬底硅层，埋氧化层以及顶层硅层；所述SOI衬底具有与悬臂梁结构相对应的悬臂梁区域；在所述悬臂梁区域上依次形成下电极、压电薄膜和上电极；沿所述悬臂梁区域边缘依次刻蚀所述顶层硅层、所述埋氧化层和所述衬底硅层，形成底部延伸至所述衬底硅层的沟槽；在上述结构上沉积隔离层；去除所述沟槽底部的隔离层并露出所述衬底硅层，以形成所述悬臂梁结构的释放窗口；以及通过所述释放窗口进行释放工艺，刻蚀所述悬臂梁区域下方的所述衬底硅层，以形成所述悬臂梁结构。
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