[发明专利]一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法在审
申请号: | 201310630259.X | 申请日: | 2013-12-02 |
公开(公告)号: | CN104674188A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 谭秀航 | 申请(专利权)人: | 青岛事百嘉电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/513;C23C16/56 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 266700山东省青岛*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法,特别是一种薄膜太阳能电池窗口材料的PECVD制备方法。其技术方案是:用称取适量SnCl2放在反应槽里,和洗净的衬底一起放在样品台上,打开机械泵抽气,抽一定时间后通适量氩气。当真空计显示为200Pa时,在进气端由流量计控制分压,将反应气体氧气和载气氩气的混合气体通入真空室内。调节气体的流量使真空室内的压强保持一个动态平衡。然后打开加热系统加热使SnCl2升华,加热到一定温度后,关闭加热系统,打开电源开关进行放电。待薄膜冷却后对其进行适当的退火处理。该法可以在较高气压下制备薄膜,不需要高真空度,简化了对设备的要求。此外,利用该法制备的SnO2薄膜平整度和附着性都较高、可见光透过率较高和方块电阻较低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 窗口 材料 sno2 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池窗口材料SnO2的制备方法,其特征是:其制备方法为等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)方法。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的