[发明专利]半导体工艺热处理设备的温度控制系统及方法有效

专利信息
申请号: 201310629884.2 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103677015A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 张乾;王艾 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: G05D23/30 分类号: G05D23/30
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陶金龙
地址: 100016 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种半导体工艺热处理设备温度控制系统及方法,该系统包括:感温单元,用于测量热处理设备的实时温度并输出;温度信号处理单元,根据工艺参数和实时温度,生成温度控制参数;其中,温度控制参数包括热处理设备升温阶段和恒温阶段的切换指令;功率输出单元,包括第一功率模块和第二功率模块,分别用于向热处理设备输出第一范围值电功率和第二范围值电功率;功率控制单元,生成功率控制参数,以选择在热处理设备升温阶段向第一功率模块输出功率控制参数,或在热处理设备恒温阶段向第二功率模块输出功率控制参数。通过将加热过程分阶段进行,本发明可缩短工艺时间、降低能耗、提高产能,使整个工艺得到最佳程度的优化。
搜索关键词: 半导体 工艺 热处理 设备 温度 控制系统 方法
【主权项】:
一种半导体工艺热处理设备温度控制系统,用于在所述热处理设备升温或恒温阶段中控制其温度,所述系统包括:感温单元,设于所述热处理设备中,用于测量所述热处理设备的实时温度并输出;温度信号处理单元,根据相应工艺配方中的工艺参数和所述感温单元输出的实时温度,生成温度控制参数;其中,所述工艺参数包括所述热处理设备的目标温度值及升温速率,所述温度控制参数包括所述热处理设备升温阶段和恒温阶段的切换指令;功率输出单元,包括第一功率模块和第二功率模块,所述第一、第二功率模块分别用于向所述热处理设备输出第一范围值电功率和第二范围值电功率,所述第一范围值大于第二范围值;功率控制单元,用于根据所述温度信号处理单元输出的温度控制参数生成功率控制参数,以选择在所述热处理设备升温阶段向所述第一功率模块输出所述功率控制参数,或在所述热处理设备恒温阶段向所述第二功率模块输出所述功率控制参数。
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