[发明专利]TEM样品的制作方法及其TEM样品有效
| 申请号： | 201310625537.2 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103645075B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈强;邱燕蓉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种TEM样品的制作方法及利用该方法形成的TEM样品，所述方法包括提供样品，所述样品中具有目标区域，所述样品为硅衬底及其上覆盖的芯片材料层；对所述样品进行截面研磨工艺，截面研磨后的样品的边缘与所述目标区域的距离为2‑10微米；在所述截面研磨后的样品上形成单侧大坑，所述截面研磨后的样品的厚度减薄为1‑3微米;去除硅衬底上覆盖的所述芯片材料层，保留样品；使用FIB方法对减薄后的样品进行平面制样，形成TEM样品。利用本发明的方法制作的TEM样品能够在平面TEM样品上清楚地观测到硅衬底上的各个位置的位错，避免了金属硅化物造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制作方法，其特征在于，包括：提供样品，所述样品中具有目标区域，所述样品为硅衬底及其上覆盖的芯片材料层；对所述样品进行截面研磨工艺，截面研磨后的样品的边缘与所述目标区域的距离为2‑10微米；在所述截面研磨后的样品上形成单侧大坑，所述截面研磨后的样品的厚度减薄为1‑3微米;去除硅衬底上覆盖的所述芯片材料层,保留样品；使用FIB方法对减薄后的样品进行平面制样，形成TEM样品。
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