[发明专利]用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备有效
申请号: | 201310625341.3 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103972046B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 王盛民;金武谦;徐泰安;赵国来;李大荣;南重建;张大焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77;H01L49/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备。该显示设备位于基板上,并包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的显示器件以及电容器,薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极。该方法包括:在基板上形成电极层;在电极层上形成钝化层;图案化钝化层,以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案,以及形成包括彼此平行并被插入在多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案;以及通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成第一电极和第二电极。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 电容器 方法 包括 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种制造显示设备的电容器的方法,所述显示设备位于基板上,并且所述显示设备包括薄膜晶体管、所述电容器以及电连接到所述薄膜晶体管的显示器件,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,该方法包括:在所述基板上形成电极层;在所述电极层上形成钝化层;图案化所述钝化层,以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案,以及形成包括彼此平行并被插入在所述多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案;以及通过使用所述第一图案和所述第二图案作为掩膜蚀刻所述电极层,以与所述有源层、所述栅电极、以及所述源电极和所述漏电极中的任意一个在相同的层中形成所述电容器的第一电极和第二电极;其中所述第一图案和所述第二图案包括无机材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的