[发明专利]高导热绝缘铜基板的制备方法无效
申请号: | 201310610677.2 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103633225A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 王春青;朱建东;温广武 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 导热绝缘铜基板的制备方法,涉及一种铜表面陶瓷化方法。所述方法为:将所需要的铜基板进行抛光处理;称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中,然后向球磨罐中加入适量的二甲苯,得到聚碳硅烷-二甲苯溶液;称取经表面改性的氮化铝粉体,并置于球磨罐中,进行球磨混合,完成混合浆料制备;将混合浆料涂覆或流延到已抛光的铜基板表面,然后干燥,获得预制陶瓷铜基板坯料;将预制陶瓷铜基板坯料置于管式炉内在湿惰性气体保护下完成热处理;采用多次涂覆-干燥-烧结工艺,制备出规定厚度、无针孔、无裂纹的高绝缘涂层。本发明所制备的高导热绝缘铜基板陶瓷涂层厚度为10~100微米,陶瓷涂层的热导率为5~100W/m·K,耐击穿电压大于2000V,介电常数低。 | ||
搜索关键词: | 导热 绝缘 铜基板 制备 方法 | ||
【主权项】:
高导热绝缘铜基板的制备方法,其特征在于所述方法步骤如下:步骤一、将所需要的铜基板进行抛光处理;步骤二、称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中,然后向球磨罐中加入适量的二甲苯,得到聚碳硅烷‑二甲苯溶液,其中控制聚碳硅烷质量分数小于60%;步骤三、按照Si、Al原子比为1:1~1:30的比例称取经表面改性的氮化铝粉体,并置于球磨罐中,进行球磨混合,完成混合浆料制备;步骤四、将步骤三所获得的混合浆料涂覆或流延到已抛光的铜基板表面,然后干燥,获得预制陶瓷铜基板坯料;步骤五、将步骤四所获得的预制陶瓷铜基板坯料置于管式炉内完成热处理,所述热处理过程为:向管式炉内充入流动湿惰性气体,然后以1~5℃/min升温速率将管式炉加热到1020~1080℃,保温0.5h~2h,以2~4℃/min的降温速率降到400℃,最后自然冷却到室温,即可获得高导热绝缘铜基板;步骤六、重复步骤四和步骤五,采用多次涂覆‑干燥‑烧结工艺制备出规定厚度、无针孔、无裂纹的高绝缘涂层。
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