[发明专利]一种纳米级微结构的制备方法在审
| 申请号： | 201310607739.4 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681418A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为2纳米~10纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构转移至一基板的表面，并通过一溶剂对所述碳纳米管复合结构进行处理使所述碳纳米管复合结构贴附在所述基板的表面；以及，将处理后的碳纳米管复合结构在500摄氏度~700摄氏度的温度下在空气中进行退火，去除所述碳纳米管结构，所述预制层在该温度下变为熔融态，该熔融态的预制层经过收缩，形成多个相互间隔的颗粒状微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为2纳米~10纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构转移至一基板的表面，并通过一溶剂对所述碳纳米管复合结构进行处理使所述碳纳米管复合结构贴附在所述基板的表面；以及将处理后的碳纳米管复合结构在500摄氏度~700摄氏度的温度下在空气中进行退火，去除所述碳纳米管结构，所述预制层在该温度下变为熔融态，该熔融态的预制层经过收缩，形成多个相互间隔的颗粒状微结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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