[发明专利]一种纳米级微结构的制备方法在审

申请号：	201310607739.4	申请日：	2013-11-27
公开（公告）号：	CN104681418A	公开（公告）日：	2015-06-03
发明（设计）人：	金元浩;李群庆;范守善	申请（专利权）人：	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
主分类号：	H01L21/033	分类号：	H01L21/033;C01B31/02;B82Y30/00
代理公司：	无	代理人：	无
地址：	100084 北京市海淀区清***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种纳米微结构制备方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种微结构的制备方法，尤其涉及一种纳米级微结构的制备方法。

背景技术

在现有技术中，制作各种半导体设备时，常需要制作具有数十纳米到数百纳米的微结构。具有上述微结构的制作方法主要有电子束的光刻方法、等离子体刻蚀法等。然而，上述方法均需要大型的设备和仪器，工艺较复杂，时间较长，并且尺寸难以做到纳米级尺寸。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种微结构的制备方法，该制备方法工艺简单。

一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为2纳米~10纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构转移至一基板的表面，并通过一溶剂对所述碳纳米管复合结构进行处理使所述碳纳米管复合结构贴附在所述基板的表面；以及，将处理后的碳纳米管复合结构在500摄氏度~700摄氏度的温度下进行退火，去除所述碳纳米管结构，所述预制层在该温度下变为熔融态，该熔融态的预制层经过收缩，形成多个相互间隔的颗粒状微结构。

一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，在所述碳纳米管结构的表面依次设置一第一预制层及一第二预制层，使每个碳纳米管表面的第一预制层与第二预制层的厚度之和为2纳米~10纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构转移至一基板的表面，并将所述碳纳米管复合结构通过一溶剂处理使所述碳纳米管复合结构贴附在所述基板的表面；以及，将处理后的碳纳米管复合结构在500摄氏度~700摄氏度的温度下进行退火，去除所述碳纳米管结构，所述第一预制层与第二预制层在该温度下变为熔融态，熔融态的第一预制层与第二预制层经过收缩，形成多个相互间隔的颗粒状微结构。

相较于现有技术，本发明所述纳米级微结构的制备方法通过在碳纳米管结构的表面设置预制层，然后去除所述碳纳米管结构，使得所述预制层收缩成多个相互间隔且均匀分布的微结构。由于将所述碳纳米管结构作为模板，因而可实现大面积制备定向排列的微结构。该制备方法简单、效率高，且易于产业化。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的所述微结构的制备方法的流程图。

图2为本发明采用的碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。

图3为本发明采用的非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图4为本发明采用的扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图5及图6为本发明第一实施例提供的微结构的扫描电镜照片。

图7为本发明第一实施例提供的发光二极管的结构示意图。

图8为图7所述发光二极管设置不同的微结构后的发光效率对比图。

图9为图7所述发光二极管与普通的发光二极管在不同的激励电流下的发光效率的对比图。

图10为图7所述发光二极管与普通的发光二极管在0.1A的激励电流下的发光效率曲线的对比图。

图11为本发明第二实施例所述微结构的结构示意图。