[发明专利]用于自对准双构图技术的关键尺寸补偿方法在审
| 申请号： | 201310598204.5 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658939A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于自对准双构图技术的关键尺寸补偿方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上形成有核心；获取所述核心的关键尺寸，并获得所述关键尺寸与目标尺寸的差值；在所述待刻蚀材料层和所述核心上形成侧墙材料层；对所述侧墙材料层进行刻蚀，以在所述核心的两侧形成侧墙，其中所述刻蚀使得相邻的所述核心的相邻的侧墙之间的间距与所述关键尺寸相等；去除所述核心；以及根据所述差值对所述侧墙的宽度进行补偿，以使相邻的所述侧墙之间的间距等于所述目标尺寸。根据本发明的方法制作的半导体器件具有目标关键尺寸和目标关键尺寸均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对准 构图 技术 关键 尺寸 补偿 方法 | ||
【主权项】：
一种用于自对准双构图技术的关键尺寸补偿方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上形成有核心；获取所述核心的关键尺寸，并获得所述关键尺寸与目标尺寸的差值；在所述待刻蚀材料层和所述核心上形成侧墙材料层；对所述侧墙材料层进行刻蚀，以在所述核心的两侧形成侧墙，其中所述刻蚀使得相邻的所述核心的相邻的侧墙之间的间距与所述关键尺寸相等；去除所述核心；以及根据所述差值对所述侧墙的宽度进行补偿，以使相邻的所述侧墙之间的间距等于所述目标尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310598204.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：顶针机构及等离子体加工设备
- 下一篇：一种用于测量硅化物电阻的测试结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
