[发明专利]一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件无效
| 申请号： | 201310598158.9 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103579351A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张波;伍伟;罗小蓉;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术，具体的说是涉及一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件。本发明的一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，在漂移区2中设有超结层，所述超结层由交替分布的N型高掺杂区13和P型高掺杂区12组成。本发明的有益效果为，降低了器件的导通电阻，抑制了衬底辅助耗尽效应，提高了器件的耐压，同时，还能兼容现有的CMOS工艺，易于与智能功率电路集成，降低了器件的制作难度和成本。本发明尤其适用于横向扩散金属氧化物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超结埋层 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件，其元胞结构包括衬底（1），位于衬底（1）上端面的漂移区（2），所述漂移区（2）中设有体区（3）和漏区（10），所述体区（3）中设有源区（4）和体区接触区（5），所述体区（3）上端面设有栅氧化层（7），所述源区（4）和体区接触区（5）上端面设有源电极（6），所述栅氧化层（7）上端面设有多晶硅栅（8）；其特征在于，所述漂移区（2）中设有超结层，所述超结层由交替分布的N型高掺杂区（13）和P型高掺杂区（12）组成。
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