[发明专利]一种三维芯片中的布线路径优化方法有效
申请号: | 201310589704.2 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN103560097A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 苏少博;李慧云;徐国卿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 穆瑞丹 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种三维芯片中的布线路径优化方法,基于哈密顿最小路径的原理,采用多次迭代不断优化的方法,能够有效实现缩短布线距离、提高布线效率,节省成本,并且减小器件的功率损耗等效果。本发明提供的上述方法,针对分布密集、单元面积小的硅通孔进行放置布线,经过试验仿真,本发明提供的上述方法能够减小路径长度在15%以上,效果非常显著。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 芯片 中的 布线 路径 优化 方法 | ||
【主权项】:
一种三维芯片中的布线路径优化方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:以晶元圆心为原点设定坐标系,获取所有的芯片在所述坐标系中的坐标;S2:将所有芯片任意分为若干组,每组中的芯片数量为大于或等于3个;S3:针对每组芯片进行如下操作:S31:获取芯片不同排列顺序时所对应的适应度算子FS,所述适应度算子FS利用如下公式获取: F S = Σ i , j = 1 n A ij d ij ; 其中n表示该组中有n个芯片,Aij为决定系数,当所述布线路径选择从硅通孔i到硅通孔j时,Aij=1,否则Aij=0;dij为硅通孔i和硅通孔j的中心距离, d ij = ( X i - X j ) 2 + ( Y i - Y j ) 2 + ( Z i - Z j ) 2 ; i,j均为整数,且1≤i≤n,1≤j≤n;S32:根据所述步骤S31中所得到的适应度算子与其对应的芯片的位置关系获取位置‑适应度数组Q=(U(n),FS);U(n)表示位置算子,即该组中的每一个芯片所在位置;S33:根据适应度算子的大小对所述步骤S32中得到的所述位置‑适应度数组进行分组,将最大适应度算子对应的位置‑适应度数组存放至最优子群中,将最小适应度算子对应的位置‑适应度数组存放至最差子群中;S34:将所述最差子群中的位置‑适应度数组中的位置算子中所记录的芯片所在位置打乱后重新任意分为若干组,且每组中的芯片数量为大于或等于3个,然后返回所述步骤S31;S4:重复所述步骤S3至少20次后,根据最优子群中的所有位置‑适应 度数组中所记录的芯片的位置关系,得到布线时所选的路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院,未经中国科学院深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310589704.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高能超声制备铝钬中间合金的方法
- 下一篇:高强度金属线材的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造