[发明专利]常压CVD薄膜连续生长炉无效

专利信息
申请号: 201310588125.6 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103628041A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 张海林;滕玉朋;崔慧敏;王晓明 申请(专利权)人: 青岛赛瑞达电子科技有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/54
代理公司: 山东清泰律师事务所 37222 代理人: 宁燕
地址: 266100 山东省青岛市高*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种常压CVD薄膜连续生长炉,包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接;其优点在于结构简单、效能高、产量大且次品率。
搜索关键词: 常压 cvd 薄膜 连续 生长
【主权项】:
一种常压CVD薄膜连续生长炉,其特征在于:包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接。
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