[发明专利]常压CVD薄膜连续生长炉无效
申请号: | 201310588125.6 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103628041A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 张海林;滕玉朋;崔慧敏;王晓明 | 申请(专利权)人: | 青岛赛瑞达电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 山东清泰律师事务所 37222 | 代理人: | 宁燕 |
地址: | 266100 山东省青岛市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 发明提供一种常压CVD薄膜连续生长炉,包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接;其优点在于结构简单、效能高、产量大且次品率。 | ||
搜索关键词: | 常压 cvd 薄膜 连续 生长 | ||
【主权项】:
一种常压CVD薄膜连续生长炉,其特征在于:包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛赛瑞达电子科技有限公司,未经青岛赛瑞达电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310588125.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光器件
- 下一篇:一种墙漆混合匀料装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的