[发明专利]常压CVD薄膜连续生长炉

权利要求书

1.一种常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架；其中工作腔体固定在机架上，前后端设有开口；工作腔体中前部外表面安装多段加热器，中后部外表面安装冷却器；输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体；气体弥散腔安装在腔体内前部加热段，为一个封闭壳体，其顶部设有进气管，底面上均匀分布若干小通孔；所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒，工作腔体两端还设有排气管，所述风帘盒与工作腔体连接，为表面分布有若干小通孔的密闭壳体；气柜上设有流量计，通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接。

2.根据权利要求1所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述冷却器为密闭腔体，两端分别设有进水口与出水口。

3.根据权利要求2所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述输送机构包括驱动电机、链轮及链条传动机构、主动滚筒、输送链带、从动滚筒、涨紧滚筒，其中电机与链轮链条传动机构与主动滚筒连接，主动滚筒与从动滚筒之间通过输送链带进行连接，主动滚筒与从动滚筒之间还设置涨紧滚筒，涨紧滚筒与主动滚筒及从动滚筒之间也通过输送链带连接。

4.根据权利要求3所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述风帘盒紧贴工作腔体上表面与之固定，二者接触面上风帘盒及工作腔体相对应设有若干小孔。

5.根据权利要求3所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述风帘盒为沿工作腔体内壁周向分布的密闭腔体。

6.根据权利要求4或5所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述多段加热器是围绕工作腔体的挂板式加热板或方筒式电阻丝或为开合式上、下两半U型加热器。

7.根据权利要求6所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述工作腔体是整体型或分体型。

8.根据权利要求7所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述气体弥散腔为一个通长的大腔室或通过挡板分割成独立小腔。

9.根据权利要求8所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述排气管上设置燃烧自动点火器。

10.根据权利要求9所述常压CVD薄膜连续生长炉，其特征在于：所述输送机构中的输送链带是全宽度链带或是同步驱动的多组链条。