[发明专利]防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法

摘要

防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，包括按组成配比，采用常规速凝制备成铸片，在氢含量≤400PPM的氢破炉制成粗粉，然后在气流磨中磨成细粉，对已进行磁场取向的磁体进行二次不同压力的压制以减少内应力，经二次模压品进行三个阶段不同升温速度与不同真空度的升温烧结，分别消除水分、去除有机添加剂，消除磁体孔隙内气体和内应力，去除引起磁体开裂的内在隐患，采用三阶段不同冷却速度降温，防止大块磁体因冷却过快而导致冷却开裂。经对照检测表明，本方法既能防止大块永磁体开裂，又能保证烧结钕铁硼磁体的高性能磁特性。

主权项

防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征包括以下步骤：（1）按产品牌号配比，用常规速凝工艺制备铸片，制得厚度为0.25～0.50mm的铸片； （2）将上述的铸片放入氢破炉中氢破碎处理，控制氢含量≤400PPM，制得粉料粒度≤500um粗粉料；（3）将上述氢破粉料放入气流磨中，控制分选轮转速在次3500～5500转/分，含氧量≤10PPM，制得粉料粒度为2.0～5.0um的细粉料；（4）按产品不同规格、重量选取合适的模具，将已气流磨成的细粉装入模具内，在≥2.0T的磁场中取向； （5）对已进行过磁场取向的粉料进行二次压制，第一次模压力为3～5 Mpa，压制时间5～10秒，模压密度控制在3.95～4.10克/厘米3，第二模压力为1～3 Mpa，压制时间为8～15秒；（6）对经二次模压产品进行三阶段升温烧结，第一阶段升温，从常温升至350℃时，控制升温速度2.5℃/分，第二阶段升温，从350℃升至700℃时，真空度控制≤5pa，升温速度控制在1.5℃/分，第三阶段升温，从700℃升至1030℃～1100℃烧结温度时，真空度控制≤3pa，升温速度控制在1℃/分；（7）对上述经三阶段升温烧结产品分三阶段冷却，从1030～1100℃烧结温度冷却至700℃时，控制冷却速度为1℃/分，从700℃降至500℃为随炉自冷降温，从500℃冷却至室温时，采用变频风冷，控制冷却温度1.5℃/分。