[发明专利]防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法

权利要求书

1.防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征包括以下步骤：

（1）按产品牌号配比，用常规速凝工艺制备铸片，制得厚度为0.25～0.50mm的铸片； 

（2）将上述的铸片放入氢破炉中氢破碎处理，控制氢含量≤400PPM，制得粉料粒度≤500um粗粉料；

（3）将上述氢破粉料放入气流磨中，控制分选轮转速在次3500～5500转/分，含氧量≤10PPM，制得粉料粒度为2.0～5.0um的细粉料；

（4）按产品不同规格、重量选取合适的模具，将已气流磨成的细粉装入模具内，在≥2.0T的磁场中取向； 

（5）对已进行过磁场取向的粉料进行二次压制，第一次模压力为3～5 Mpa，压制时间5～10秒，模压密度控制在3.95～4.10克/厘米³，第二模压力为1～3 Mpa，压制时间为8～15秒；

（6）对经二次模压产品进行三阶段升温烧结，第一阶段升温，从常温升至350℃时，控制升温速度2.5℃/分，第二阶段升温，从350℃升至700℃时，真空度控制≤5pa，升温速度控制在1.5℃/分，第三阶段升温，从700℃升至1030℃～1100℃烧结温度时，真空度控制≤3pa，升温速度控制在1℃/分；

（7）对上述经三阶段升温烧结产品分三阶段冷却，从1030～1100℃烧结温度冷却至700℃时，控制冷却速度为1℃/分，从700℃降至500℃为随炉自冷降温，从500℃冷却至室温时，采用变频风冷，控制冷却温度1.5℃/分。

2.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于所述三阶段升温烧结的第一阶段升温，当温度升至150℃～200℃时，保温3～5小时去水汽，当温度升至300～350℃，保温3～5小时去除有机添加剂。

3.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于第二阶段升温，从350升温至700℃，保持真空度≤5pa，当温度升至580℃时，保温3～6小时进行脱氢。

4.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于第三阶段升温，从700℃升至烧结温度1030～1100℃，保持真空度≤3pa，当温度升至800℃时，保温5～8小时，消除孔隙中的气体和内应力，升温至烧结温度1030～1100℃后，保温3～6.5小时。

5.根据权利要求1所述的防止烧结钕铁硼磁体开裂的制造方法，其特征在于从500℃冷却至室温的变频风冷为在烧结炉上安装变频冷却控制器，控制烧结风机转速，保证冷却平均温度为1.5℃/分。