[发明专利]用于三维装置具有多个垂直延伸的导体的装置及制造方法有效
| 申请号： | 201310581646.9 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104465496B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 施彦豪;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/11582;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于三维装置具有多个垂直延伸的导体的装置及制造方法，三维(three dimensional，3D)电路中的导体可透过两段式刻蚀处理来形成。此3D电路包含具多个垂直延伸于高长宽比沟道之中的水平线。此处理包括提供一衬底，此衬底具有多个间隔开的叠层；在这些间隔开的叠层之间，形成一垂直柱图样；以及形成一水平线图样于这些间隔开的叠层上的导体材料本体上，这些水平线是连接垂直柱图样中的多个垂直柱。导体材料可沉积于这些间隔开的叠层上。一第一刻蚀处理可用来形成垂直柱图样。一第二刻蚀处理可用来形成水平线图样。这些导体可作为3D存储器中的位线或字线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 装置 具有 垂直 延伸 导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在三维电路中形成导体的方法，包括：提供一衬底，该衬底具有多个间隔开的叠层；沉积一导体材料于这些间隔开的叠层之上，以形成一导体材料本体；第一刻蚀该导体材料本体，以形成一垂直孔洞图样于该导体材料本体中的这些间隔开的叠层之间，籍以在这些间隔开的叠层之间，形成一垂直柱图样，其中使用包括一硬式掩模材料的一第一刻蚀掩模以形成该垂直柱图样；以及第二刻蚀该导体材料本体，以形成多个沟道于这些间隔开的叠层上，并排列连接该垂直孔洞图样中的垂直孔洞，籍以形成一水平线图样于这些间隔开的叠层上的该导体材料本体上，该水平线图样的多条水平线是连接该垂直柱图样中的多个垂直柱；其中使用包含一硬式掩模材料的一第二刻蚀掩模以形成该水平线图样。
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