[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310573218.1 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN103560114B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 孔祥春;曹占锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域。可以简化垂直结构TFT的制作工序,减少构图工艺使用次数。阵列基板包括在基板表面形成的漏电极的图案,在漏电极的图案的表面通过半导体化处理形成有半导体有源层的图案,在该半导体有源层的图案的表面形成有源电极的图案,其中漏电极、半导体有源层、源电极的图案通过一次构图工艺形成。
搜索关键词: 一种 tft 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种TFT阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在基板上形成电极层;在形成所述电极层的基板表面形成第一金属层;在所述第一金属层的表面通过半导体化处理形成半导体层;在所述半导体层的表面形成第二金属层;通过构图工艺形成包括第一透明电极、漏电极、所述半导体有源层、源电极的图案,其中:所述第一透明电极的图案由所述电极层形成,所述漏电极的图案由所述第一金属层形成,所述半导体有源层的图案由所述半导体层形成,所述源电极的图案由所述第二金属层形成;在形成源电极的图案的基板表面通过构图工艺依次形成栅极绝缘层、栅极的图案;所述栅极的图案位于所述漏电极和反射电极连接的上方,并紧贴所述栅极绝缘层;在形成所述漏电极的图案的同时,还形成所述反射电极的图案;所述反射电极的图案为平坦图案,所述反射电极与所述漏电极同层同材料;其中,所述反射电极的面积小于所述第一透明电极的面积。
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