[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成。现有技术中的TFT-LCD的阵列基板通常由矩阵形式排列的多个像素结构组成，其典型的结构如图1所示，包括横纵交叉的栅线10以及数据线11划分而成的多个像素单元12，在栅线10与数据线11的交叉位置处设置有薄膜晶体管(TFT)。TFT所在区域的大小与阵列基板的像素开口率有关，TFT所在区域越大，像素开口率就越小，因此会降低光线的出光率，从而影响显示器的显示效果。

为了提高像素的开口率，现有技术中可以采用一种顶栅型垂直TFT结构，如图2所示。这样一种结构的TFT，其漏电极13和源电极14采用重叠的方式制作，因此与具有平行的源、漏电极的TFT相比较，该顶栅型垂直结构的TFT区域相对较小，从而可以使得像素区域能够得到较大的开口面积，从而提高像素开口率。

然而现有技术中，如图2所示，在制作顶栅型垂直结构TFT的过程中，首先，在形成有像素电极15图案的基板表面涂覆一种金属材料再通过构图工艺形成漏电极13的图案，然后在形成有上述图案的基板表面沉积半导体材料，从而通过构图工艺形成半导体有源层16的图案；之后在形成有半导体有源层16图案的基板表面再次涂覆另一种金属材料，从而通过构图工艺形成源电级14的图案；接下来在形成有源电极14图案的基板表面通过构图工艺依次形成栅极17、钝化层18以及公共电极19的图案。这样一来，在制作过程中由于多次采用涂覆或沉积工艺使得制作加工工序复杂，导致生产效率低，生产成本提高。并且多次构图工艺的使用会导致加工误差的叠加，从而降低了产品质量。

发明内容

本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置。可以简化垂直结构TFT的制作工序，减少构图工艺使用次数。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

在基板表面形成第一金属层；

在所述第一金属层的表面通过半导体化处理形成半导体层；

在所述半导体层的表面形成第二金属层；

通过构图工艺形成包括漏电极、所述半导体有源层、源电极的图案。

本发明实施例的另一方面提供一种TFT阵列基板，包括：

形成在基板表面的漏电极的图案；

所述漏电极的图案的表面通过半导体化处理形成有半导体有源层的图案；

所述半导体有源层的图案的表面形成有源电极的图案。

本发明实施例的又一方面提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种TFT阵列基板。

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置。该方法包括在基板表面形成漏电极的图案，在漏电极的图案的表面通过半导体化处理形成半导体有源层的图案，在该半导体有源层的图案的表面形成源电极的图案，其中漏电极、半导体有源层、源电极的图案通过一次构图工艺形成。这样一来，可以简化制作工序，减少制作工艺。从而提高生产效率，降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种TFT阵列基板结构俯视图；

图2为现有技术提供的一种TFT阵列基板结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的制造方法流程图；

图4为本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的结构及制造方法示意图；

图5为本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的制造方法示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种TFT阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种TFT阵列基板的结构示意图。

具体实施方式