[发明专利]沟槽型肖特基器件结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽型肖特基器件结构及其制造方法，包括：N型重掺杂的基板；N型轻掺杂的硅外延层，形成于所述基板上；至少两个沟槽，形成于所述硅外延层中；所述沟槽表面依次形成有第一二氧化硅层、中间电介质层及第二二氧化硅层；高掺杂N型多晶硅层，填充于所述沟槽中；金属硅化物层，形成于所述硅外延层表面；正面电极，形成于所述金属硅化物层表面；背面电极，形成于所述N型重掺杂的基板背面。本发明第一二氧化硅层/中间电介质层/第二二氧化硅层复合结构作为沟槽介质层，以能够显著减小漏电流，不仅满足提高击穿电压和降低漏电流的需要，又有利于采用更窄的沟槽结构，从而增加了肖特基势垒接触面积而降低正向导通电压。

主权项

一种沟槽型肖特基器件结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一N型重掺杂的基板，在所述N型重掺杂的基板上形成一N型轻掺杂的硅外延层；2)在所述N型轻掺杂的硅外延层中形成至少两个沟槽，在所述沟槽表面依次形成第一二氧化硅层、中间电介质层及第二二氧化硅层；3)在所述沟槽中沉积高掺杂N型多晶硅层并去除所述沟槽外多余的高掺杂N型多晶硅层、第一二氧化硅层、中间电介质层及第二二氧化硅层直至露出所述N型轻掺杂的硅外延层表面；4)在所述N型轻掺杂的硅外延层表面形成肖特基金属层，并采用热处理方法使得所述肖特基金属层与所述N型轻掺杂的硅外延层反应生成金属硅化物层；5)在所述金属硅化物层表面形成正面电极层；在所述N型重掺杂的基板背面形成背面电极层。