[发明专利]一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310567859.6 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103612430A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈路玉 | 申请（专利权）人： | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/00 | 分类号： | B32B15/00;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 吴剑锋 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 金属 干涉 选择性 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种介质‑金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。
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