[发明专利]一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法。

背景技术

现有介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，工艺复杂，操作复杂，不利于生产，不能满足生产需求。故此，现有的介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法有待于进一步完善。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法。

为了达到上述目的，本发明采用以下方案：

一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；

B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；

C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。

如上所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述基底为不锈钢、铜、铝中的一种。

如上所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述反射层为铜层、铝层、银层、钨层、钼层中的一种。

如上所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于所述反射层的厚度为250-350nm。

如上所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述介质层为SiO₂层或Al₂O₃层。

如上所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述半透明金属层为Mo层，W层，Cr层中的一种。

如上所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于所述半透明金属层的厚度为8-15nm。

综上所述，本发明的有益效果：

本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述：

实施例1

本发明一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，包括以下步骤：

A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；所述基底为不锈钢。所述反射层为铜层。所述反射层的厚度为250nm。

B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；所述介质层为SiO₂层。可以采用直流反应磁控溅射：靶材用Si；

C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。所述半透明金属层为Mo层。所述半透明金属层的厚度为8-15nm。

实施例2

本发明一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，包括以下步骤：

A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；所述基底为铜。所述反射层为铝层。所述反射层的厚度为300nm。

B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；所述介质层为Al₂O₃层。直流反应磁控溅射：靶材Al靶。

C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。所述半透明金属层为W层，所述半透明金属层的厚度为8-15nm。

实施例3

本发明一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，包括以下步骤：

A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；所述基底为铝。所述反射层为钼层。所述反射层的厚度为350nm。

B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；所述介质层为SiO₂层。射频磁控溅射：靶材用SiO2，需要充氧补充原靶材镀制过程中的失氧情况，膜厚在100nm左右

C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。所述半透明金属层为Cr层。所述半透明金属层的厚度为15nm。