[发明专利]一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201310563263.9 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103618035A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;王光绪;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法，它是在P面欧姆接触金属层和黏结层之间设置有应力调制层，所述应力调制层为Pt和Cr两种金属交替堆叠形成的多个周期的厚度渐变的叠层结构，即Cr/Pt/Cr/、Pt/Cr/Pt结构，Pt金属单层随着与P面欧姆接触金属层间距的增大而逐渐变厚，而Cr金属单层随着与P面欧姆接触金属层间距的增大而逐渐变薄，该应力调制层能有效调节氮化镓基薄膜和硅基板之间由于热膨胀系数的巨大差异而引入的应力。本发明具有释放调节氮化镓基LED薄膜与硅基板之间的应力，提高器件的光电性能和可靠性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 应力 调制 氮化 led 薄膜 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片，包括氮化镓基LED薄膜、P面欧姆接触金属层、黏结层和硅基板，其特征在于：在P面欧姆接触金属层和黏结层之间设置有应力调制层，所述应力调制层为Pt和Cr两种金属交替堆叠形成的多个周期的厚度渐变的叠层结构，即Cr/Pt/Cr/、、、Pt/Cr /Pt结构。
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