[发明专利]生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石及其制备方法有效
| 申请号： | 201310562347.0 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103601166A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王莉丽;王秀峰;朱建锋;于成龙;江红涛 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01B25/32 | 分类号： | C01B25/32;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石及其制备方法，属于生物医用材料制备技术领域。制备CaO含量不同的Na2O-CaO-SiO2系玻璃，并将制备好的玻璃基片分别浸泡在不同浓度的Na2HPO4溶液中1～14天，整个浸泡过程中利用水浴维持恒温80～100℃，最终在玻璃基片表面生长出了纳米棒状羟基磷灰石晶体。本发明反应温度低，操作方法简单，能合成纳米棒状形貌的羟基磷灰石，且有一定的取向，并且纯度高、粒度分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 玻璃 基片上 纳米 羟基 磷灰石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）按摩尔百分数计，取30～45%的CaCO3、5～20%的Na2CO3和50～60%的SiO2作为原料；将原料放入研钵中研磨均匀；在1300～1450℃下，将研磨好的原料加入炉中；待原料完全融化后，将玻璃液取出，浇注到钢模中成型，得到玻璃片，再将玻璃片退火，得到Na2O‑CaO‑SiO2系玻璃基片，其中CaO的摩尔百分数为30%～45%；2）将Na2O‑CaO‑SiO2系玻璃基片切割成若干0.5×0.5mm的玻璃基片，将这些0.5×0.5mm的玻璃基片放入浓度为0.05～1mol/L的Na2HPO4水溶液中，在80～100℃下恒温浸泡1～14天，在0.5×0.5mm的玻璃基片的表面生长出了纳米棒状排列的羟基磷灰石晶体。
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