[发明专利]生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石及其制备方法有效
| 申请号： | 201310562347.0 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103601166A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王莉丽;王秀峰;朱建锋;于成龙;江红涛 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01B25/32 | 分类号： | C01B25/32;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 玻璃 基片上 纳米 羟基 磷灰石 及其 制备 方法 | ||
1.一种生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）按摩尔百分数计，取30～45%的CaCO3、5～20%的Na2CO3和50～60%的SiO2作为原料；将原料放入研钵中研磨均匀；在1300～1450℃下，将研磨好的原料加入炉中；待原料完全融化后，将玻璃液取出，浇注到钢模中成型，得到玻璃片，再将玻璃片退火，得到Na2O-CaO-SiO2系玻璃基片，其中CaO的摩尔百分数为30%～45%；
2）将Na2O-CaO-SiO2系玻璃基片切割成若干0.5×0.5mm的玻璃基片，将这些0.5×0.5mm的玻璃基片放入浓度为0.05～1mol/L的Na2HPO4水溶液中，在80～100℃下恒温浸泡1～14天，在0.5×0.5mm的玻璃基片的表面生长出了纳米棒状排列的羟基磷灰石晶体。
2.根据权利要求1所述的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中，在研磨原料之前，向原料中加入CaF2，其中，CaF2的摩尔量占原料和CaF2摩尔量总和的5～10%。
3.根据权利要求1所述的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中，研磨的时间为30～60min。
4.根据权利要求1所述的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中，Na2HPO4水溶液的pH值为8.4～8.6。
5.根据权利要求4所述的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于：所述pH值是采用氨水进行调节的。
6.根据权利要求1所述的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中，所述切割是采用砂轮切割机进行的。
7.根据权利要求1所述的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中，将切割后的玻璃基片用砂纸将表面打磨光滑平整。
8.一种如权利要求1至7任意一项所述的制备方法制备的生长在玻璃基片上的纳米棒状羟基磷灰石，其特征在于：制得的羟基磷灰石为纳米棒状晶体，且晶体粒子的几何形状均一，取向排列一致。
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