[发明专利]光电装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310560386.7 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811572B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 姜允默;朴商镇;李斗烈;金亨基;牟灿滨;朴暎相;徐京真;金珉圣;洪俊基;任兴均;宋珉澈;朴省赞;金东燮 | 申请（专利权）人： | 智基石盾科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,韩芳 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电装置，包括：半导体基底，包括单晶硅，半导体基底具有第一表面(S1)和与第一表面相反的第二表面(S2)；掺杂单元，位于半导体基底的第一表面(S1)处，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂；第一绝缘层，位于掺杂单元和半导体基底的第二表面(S2)之间；以及钝化层，在第二表面(S2)上；其中，第一绝缘层位于半导体基底的第一表面(S1)和第二表面(S2)之间，掺杂单元位于半导体基底的第一表面(S1)和第一绝缘层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
