[发明专利]一种防辐射薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2层；B、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；C、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；D、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；E、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；F、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的防辐射薄膜的制备方法。

主权项

一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤A中TiO2层上磁控溅射AZO层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层；E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层；F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层；G、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。