[发明专利]一种防辐射薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310549332.0 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103641331A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈路玉 | 申请（专利权）人： | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 吴剑锋 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防辐射 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2层；
B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤A中TiO2层上磁控溅射AZO层；
C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；
D、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层；
F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层；
G、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
2.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述TiO2层的厚度为10～15nm，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。
3.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述AZO层的厚度为20～25nm，所述交流电源的溅射功率20～25KW。
4.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述的直流电源的溅射功率4～5KW。
5.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述AZO层的厚度为50～65nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率50～65KW。
6.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。
7.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述AZO层的厚度为20～25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。
8.根据权利要求1所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述ZnSnO3的厚度为20～30nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。
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