[发明专利]一种防辐射薄膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种防辐射薄膜的制备方法。

背景技术

低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。

目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380～780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50％左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900～1100纳米的波长范围内透射率为10～20％之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步完善。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的防辐射薄膜的制备方法。

为了达到上述目的，本发明采用以下方案：

一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂层；

B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤A中TiO₂层上磁控溅射AZO层；

C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；

D、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层；

E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层；

F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层；

G、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤F中的AZO层上磁控溅射ZnSnO₃层。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述TiO₂层的厚度为10～15nm，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述AZO层的厚度为20～25nm，所述交流电源的溅射功率20～25KW。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述的直流电源的溅射功率4～5KW。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述AZO层的厚度为50～65nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率50～65KW。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述AZO层的厚度为20～25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。

如上所述的一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述ZnSnO₃的厚度为20～30nm，ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，所述交流电源的溅射功率为50～75KW。

综上所述，本发明的有益效果：

本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。膜层结构较小，阴极使用量少；节约成本；本工艺中采用全旋转靶，方便维护，本发明中基本以氩气作为反应气体，工艺稳定。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明做进一步描述：

实施例1

本发明一种防辐射薄膜的制备方法，包括以下步骤：

A、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为800sccm，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂层；所述TiO₂层的厚度为10nm，所述交流电源的溅射功率为50KW。

B、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤A中TiO₂层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，所述交流电源的溅射功率20KW。