[发明专利]SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法在审
| 申请号： | 201310548823.3 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104637527A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法。所述SRAM存储单元阵列包括：多条沿行方向排列的字线、沿列方向排列的位线对以及多个位于所述字线和所述位线对之间的存储单元，所述位线对包括第一位线和第二位线；第一读晶体管和第二读晶体管；以及第一读位线和第二读位线，所述第一读位线和所述第二读位线分别通过所述第一读晶体管和所述第二读晶体管连接至所述第一位线和所述第二位线。根据本发明的SRAM存储单元阵列提高了稳定性，减小了SRAM存储单元阵列的尺寸，进而缩小SRAM芯片的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 阵列 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列包括：多条沿行方向排列的字线、沿列方向排列的位线对以及多个位于所述字线和所述位线对之间的存储单元，所述位线对包括第一位线和第二位线；第一读晶体管和第二读晶体管；以及第一读位线和第二读位线，所述第一读位线和所述第二读位线分别通过所述第一读晶体管和所述第二读晶体管连接至所述第一位线和所述第二位线。
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