[发明专利]SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列包括：

多条沿行方向排列的字线、沿列方向排列的位线对以及多个位于所述字线和所述位线对之间的存储单元，所述位线对包括第一位线和第二位线；

第一读晶体管和第二读晶体管；以及

第一读位线和第二读位线，所述第一读位线和所述第二读位线分别通过所述第一读晶体管和所述第二读晶体管连接至所述第一位线和所述第二位线。

2.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述第一读晶体管和所述第二读晶体管的栅极分别连接至所述第一位线和所述第二位线；所述第一读晶体管和所述第二读晶体管的漏极分别连接至所述第一读位线和所述第二读位线；所述第一读晶体管和所述第二读晶体管的源极接地。

3.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述第一读晶体管和所述第二读晶体管为NMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述存储单元包括：

第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器连接在第一节点与第二节点之间，其中所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输出端连接至所述第一节点，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接至所述第二节点；以及

第一传输晶体管和第二传输晶体管，所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的源极分别与所述第一节点和所述第二节点连接，漏极分别与所述位线对连接，栅极分别与所述多个字线中的对应者连接。

5.如权利要求4所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述第一反相器包括第一上拉PMOS晶体管和第一下拉NMOS晶体管，所述第二反相器包括第二上拉PMOS晶体管和第二下拉NMOS晶体管，

其中所述第一上拉PMOS晶体管和所述第二上拉PMOS晶体管的源极与供电电压连接，且所述第一下拉NMOS晶体管和所述第二下拉NMOS晶体管的源极接地；所述第一上拉PMOS晶体管和所述第一下拉NMOS晶体管的漏极连接至所述第一节点，所述第二上拉PMOS晶体管和所述第二下拉NMOS晶体管的漏极连接至所述第二节点；所述第一上拉PMOS晶体管和所述第一下拉NMOS晶体管的栅极连接至所述第二节点，且所述第二上拉PMOS晶体管和所述第二下拉NMOS晶体管的栅极连接至所述第一节点。

6.如权利要求5所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管为NMOS晶体管。

7.一种SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器包括如权利要求1-6中任一项所述的SRAM存储单元阵列。

8.一种基于权利要求7所述的SRAM存储器的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：

对所述多个存储单元中的选定者进行写操作时，将所述第一读位线和所述第二读位线设置为低电位，并将所述多个字线中与所述选定者对应的字线设置为高电位，外围电路传递到所述位线对上的信息作为输入；以及

对所述多个存储单元中的选定者进行读操作时，不对所述位线对施加电压，将所述第一读位线对和所述第二读位线对设置为高电位，将所述多个字线中与所述选定者对应的字线设置为高电位，以通过所述第一读位线和所述第二读位线读取所述多个存储单元中的选定者中的信息。