[发明专利]金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制作方法无效
| 申请号： | 201310548138.0 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103560192A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘宏伟;刘春影;杨广华;王真真;阚强;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子与光电子技术领域，涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的P+N阱发光结及P电极和N电极，P+和N+均为尖端角度在75°至90°之间的楔形结构，在P+N阱发光结的上方，先覆盖有一层SiO2，再在SiO2表面制作有金属Ag光子晶体结构。本发明利用金属光子晶体的SPP泄露模式近场局域耦合增强器件发光效率，提高了硅基CMOS器件发光强度，且器件发光面积集中，具有较高的光功率密度，有利于器件光电集成。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 等离子体 耦合 发光 增强 led 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED制作方法，采用标准CMOS工艺制成，包括下面步骡：(1)在P型硅衬底上利用离子注入工艺注入N阱；(2)在N阱上注入尖端角度在75°至90°之间的P+楔形结构，形成P+N阱发光结，发光区域即在P+楔形结构尖端处及其附近；在距P+楔形结构尖端200‑300nm处注入N+楔形结构；(3)在发光区域上表面利用栅氧化工艺制备第一层SiO2，其厚度为20‑40nm；(4)在第一层SiO2上，利用电子束蒸发工艺，制备Ag，其厚度为30‑50nm；(5)将Ag层蚀刻为金属Ag光子晶体结构；(6)开P电极和N电极孔，制作P电极和N电极。
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